技術(shù)文章
紫外吸收光譜 UV
分析原理：吸收紫外光能量，引起分子中電子能級的躍遷
譜圖的表示方法：相對吸收光能量隨吸收光波長(cháng)的變化
提供的信息：吸收峰的位置、強度和形狀，提供分子中不同電子結構的信息
熒光光譜法 FS
分析原理：被電磁輻射激發(fā)后，從ZUI低單線(xiàn)激發(fā)態(tài)回到單線(xiàn)基態(tài)，發(fā)射熒光
譜圖的表示方法：發(fā)射的熒光能量隨光波長(cháng)的變化
提供的信息：熒光效率和壽命，提供分子中不同電子結構的信息
紅外吸收光譜法 IR
分析原理：吸收紅外光能量，引起具有偶極矩變化的分子的振動(dòng)、轉動(dòng)能級躍遷
譜圖的表示方法：相對透射光能量隨透射光頻率變化
提供的信息：峰的位置、強度和形狀，提供功能團或化學(xué)鍵的特征振動(dòng)頻率
拉曼光譜法 Ram
分析原理：吸收光能后，引起具有極化率變化的分子振動(dòng)，產(chǎn)生拉曼散射
譜圖的表示方法：散射光能量隨拉曼位移的變化
提供的信息：峰的位置、強度和形狀，提供功能團或化學(xué)鍵的特征振動(dòng)頻率
核磁共振波譜法 NMR
分析原理：在外磁場(chǎng)中，具有核磁矩的原子核，吸收射頻能量，產(chǎn)生核自旋能級的躍遷
譜圖的表示方法：吸收光能量隨化學(xué)位移的變化
提供的信息：峰的化學(xué)位移、強度、裂分數和偶合常數，提供核的數目、所處化學(xué)環(huán)境和幾何構型的信息
電子順磁共振波譜法 ESR
分析原理：在外磁場(chǎng)中，分子中未成對電子吸收射頻能量，產(chǎn)生電子自旋能級躍遷
譜圖的表示方法：吸收光能量或微分能量隨磁場(chǎng)強度變化
提供的信息：譜線(xiàn)位置、強度、裂分數目和超精細分裂常數，提供未成對電子密度、分子鍵特性及幾何構型信息
質(zhì)譜分析法 MS
分析原理：分子在真空中被電子轟擊，形成離子，通過(guò)電磁場(chǎng)按不同m/e分離
譜圖的表示方法：以棒圖形式表示離子的相對峰度隨m/e的變化
提供的信息：分子離子及碎片離子的質(zhì)量數及其相對峰度，提供分子量，元素組成及結構的信息
氣相色譜法 GC
分析原理：樣品中各組分在流動(dòng)相和固定相之間，由于分配系數不同而分離
譜圖的表示方法：柱后流出物濃度隨保留值的變化
提供的信息：峰的保留值與組分熱力學(xué)參數有關(guān)，是定性依據;峰面積與組分含量有關(guān)
反氣相色譜法 IGC
分析原理：探針?lè )肿颖Ａ糁档淖兓Q于它和作為固定相的聚合物樣品之間的相互作用力
譜圖的表示方法：探針?lè )肿颖缺Ａ趔w積的對數值隨柱溫倒數的變化曲線(xiàn)
提供的信息：探針?lè )肿颖Ａ糁蹬c溫度的關(guān)系提供聚合物的熱力學(xué)參數
裂解氣相色譜法 PGC
分析原理：高分子材料在一定條件下瞬間裂解，可獲得具有一定特征的碎片
譜圖的表示方法：柱后流出物濃度隨保留值的變化
提供的信息：譜圖的指紋性或特征碎片峰，表征聚合物的化學(xué)結構和幾何構型
凝膠色譜法 GPC
分析原理：樣品通過(guò)凝膠柱時(shí)，按分子的流體力學(xué)體積不同進(jìn)行分離，大分子先流出
譜圖的表示方法：柱后流出物濃度隨保留值的變化
提供的信息：高聚物的平均分子量及其分布
熱重法 TG
分析原理：在控溫環(huán)境中，樣品重量隨溫度或時(shí)間變化
譜圖的表示方法：樣品的重量分數隨溫度或時(shí)間的變化曲線(xiàn)
提供的信息：曲線(xiàn)陡降處為樣品失重區，平臺區為樣品的熱穩定區
熱差分析 DTA
分析原理：樣品與參比物處于同一控溫環(huán)境中，由于二者導熱系數不同產(chǎn)生溫差，記錄溫度隨環(huán)境溫度或時(shí)間的變化
譜圖的表示方法：溫差隨環(huán)境溫度或時(shí)間的變化曲線(xiàn)
提供的信息：提供聚合物熱轉變溫度及各種熱效應的信息
示差掃描量熱分析 DSC
分析原理：樣品與參比物處于同一控溫環(huán)境中，記錄維持溫差為零時(shí)，所需能量隨環(huán)境溫度或時(shí)間的變化
譜圖的表示方法：熱量或其變化率隨環(huán)境溫度或時(shí)間的變化曲線(xiàn)
提供的信息：提供聚合物熱轉變溫度及各種熱效應的信息
靜態(tài)熱―力分析 TMA
分析原理：樣品在恒力作用下產(chǎn)生的形變隨溫度或時(shí)間變化
譜圖的表示方法：樣品形變值隨溫度或時(shí)間變化曲線(xiàn)
提供的信息：熱轉變溫度和力學(xué)狀態(tài)
動(dòng)態(tài)熱―力分析 DMA
分析原理：樣品在周期性變化的外力作用下產(chǎn)生的形變隨溫度的變化
譜圖的表示方法：模量或tgδ隨溫度變化曲線(xiàn)
提供的信息：熱轉變溫度模量和tgδ
透射電子顯微術(shù) TEM
分析原理：高能電子束穿透試樣時(shí)發(fā)生散射、吸收、干涉和衍射，使得在相平面形成襯度，顯示出圖象
譜圖的表示方法：質(zhì)厚襯度象、明場(chǎng)衍襯象、暗場(chǎng)衍襯象、晶格條紋象、和分子象
提供的信息：晶體形貌、分子量分布、微孔尺寸分布、多相結構和晶格與缺陷等
掃描電子顯微術(shù) SEM
分析原理：用電子技術(shù)檢測高能電子束與樣品作用時(shí)產(chǎn)生二次電子、背散射電子、吸收電子、X射線(xiàn)等并放大成象
譜圖的表示方法：背散射象、二次電子象、吸收電流象、元素的線(xiàn)分布和面分布等
提供的信息：斷口形貌、表面顯微結構、薄膜內部的顯微結構、微區元素分析與定量元素分析等
原子吸收 AAS
原理：通過(guò)原子化器將待測試樣原子化，待測原子吸收待測元素空心陰極燈的光，從而使用檢測器檢測到的能量變低，從而得到吸光度。吸光度與待測元素的濃度成正比。
電感耦合高頻等離子體 ICP
原理：利用氬等離子體產(chǎn)生的高溫使用試樣*分解形成激發(fā)態(tài)的原子和離子，由于激發(fā)態(tài)的原子和離子不穩定，外層電子會(huì )從激發(fā)態(tài)向低的能級躍遷，因此發(fā)射出特征的譜線(xiàn)。通過(guò)光柵等分光后，利用檢測器檢測特定波長(cháng)的強度，光的強度與待測元素濃度成正比。
x射線(xiàn)衍射XRD
X射線(xiàn)是原子內層電子在高速運動(dòng)電子的轟擊下躍遷而產(chǎn)生的光輻射，主要有連續X射線(xiàn)和特征X射線(xiàn)兩種。晶體可被用作X光的光柵，這些很大數目的原子或離子/分子所產(chǎn)生的相干散射將會(huì )發(fā)生光的干涉作用，從而影響散射的X射線(xiàn)的強度增強或減弱。由于大量原子散射波的疊加，互相干涉而產(chǎn)生zui大強度的光束稱(chēng)為X射線(xiàn)的衍射線(xiàn)。
滿(mǎn)足衍射條件，可應用布拉格公式：2dsinθ=λ
應用已知波長(cháng)的X射線(xiàn)來(lái)測量θ角，從而計算出晶面間距d，這是用于X射線(xiàn)結構分析;另一個(gè)是應用已知d的晶體來(lái)測量θ角，從而計算出特征X射線(xiàn)的波長(cháng)，進(jìn)而可在已有資料查出試樣中所含的元素。
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